SSD

256 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/540 МБайт/с, случайный доступ: 81000/74000 IOps

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/4700 МБайт/с, случайный доступ: 495000/750000 IOps

1 ТБ, M.2, SATA 3.0 (NGFF), микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 570/540 MBps

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер Innogrit IG5666, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 13000/9500 МБайт/с, случайный доступ: 1700000/1250000 IOps, DRAM-буфер

2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, последовательный доступ: 550/500 МБайт/с, случайный доступ: 50000/50000 IOps

512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 2000/1500 МБайт/с, случайный доступ: 99500/96200 IOps, SLC-кэш

M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Silicon Motion SM2262EN, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/2800 MBps, случайный доступ: 390000/380000 IOps

1 ТБ, M.2 2242, PCI Express 3.0 x2 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 1650/1500 МБайт/с, случайный доступ: 220000/220000 IOps

M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 2900/1300 MBps, случайный доступ: 230000/320000 IOps

256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2100/1300 МБайт/с, случайный доступ: 165000/265000 IOps

1 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 2100/1700 МБайт/с, случайный доступ: 530000/420000 IOps

2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/540 MBps, случайный доступ: 93000/80000 IOps

2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/460 MBps, случайный доступ: 52000/57000 IOps

2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер MaxioTech MAP1602A, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 6200/5200 МБайт/с, совместимость с PS5

512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 2100/1500 МБайт/с, случайный доступ: 300000/420000 IOps

M.2, PCI Express 3.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1700/1100 MBps, случайный доступ: 290000/260000 IOps

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/3000 МБайт/с, случайный доступ: 500000/480000 IOps

4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Silicon Motion SM2264, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/6800 МБайт/с, случайный доступ: 700000/550000 IOps, совместимость с PS5

M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер Phison PS5018-E18, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/3900 MBps, случайный доступ: 450000/900000 IOps, совместимость с PS5

2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/540 MBps, случайный доступ: 87000/80000 IOps

M.2, PCI Express 3.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1700/1200 MBps, случайный доступ: 290000/260000 IOps